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射頻功率放大器基本概念、分類(lèi)及電路組成

日期:2021-04-07瀏覽:1340次

 

基本概念

射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小,需要經(jīng)過(guò)一系列的放大(緩沖級(jí)、中間放大級(jí)、末級(jí)功率放大級(jí))獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線(xiàn)上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率,必須采用射頻功率放大器。在調(diào)制器產(chǎn)生射頻信號(hào)后,射頻已調(diào)信號(hào)就由 RF PA 將它放大到足夠功率,經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò),再由天線(xiàn)發(fā)射出去。

 

放大器的功能,即將輸入的內(nèi)容加以放大并輸出。輸入和輸出的內(nèi)容,我們稱(chēng)之為“信號(hào)”,往往表示為電壓或功率。對(duì)于放大器這樣一個(gè)“系統(tǒng)”來(lái)說(shuō),它的“貢獻(xiàn)”就是將其所“吸收”的東西提升一定的水平,并向外界“輸出”。如果放大器能夠有好的性能,那么它就可以貢獻(xiàn)更多,這才體現(xiàn)出它自身的“價(jià)值”。如果放大器存在著一定的問(wèn)題,那么在開(kāi)始工作或者工作了一段時(shí)間之后,不但不能再提供任何“貢獻(xiàn)”,反而有可能出現(xiàn)一些不期然的“震蕩”,這種“震蕩”對(duì)于外界還是放大器自身,都是災(zāi)難性的。

 

射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率與效率,如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的核心。通常在射頻功率放大器中,可以用 LC 諧振回路選出基頻或某次諧波,實(shí)現(xiàn)不失真放大。除此之外,輸出中的諧波分量還應(yīng)該盡可能地小,以避免對(duì)其他頻道產(chǎn)生干擾。

 

分類(lèi)

根據(jù)工作狀態(tài)的不同,功率放大器分類(lèi)如下:

傳統(tǒng)線(xiàn)性功率放大器的工作頻率很高,但相對(duì)頻帶較窄,射頻功率放大器一般都采用選頻網(wǎng)絡(luò)作為負(fù)載回路。射頻功率放大器可以按照電流導(dǎo)通角的不同,分為甲(A)、乙(B)、丙(C)三類(lèi)工作狀態(tài)。甲類(lèi)放大器電流的導(dǎo)通角為 360°,適用于小信號(hào)低功率放大,乙類(lèi)放大器電流的導(dǎo)通角等于 180°,丙類(lèi)放大器電流的導(dǎo)通角則小于 180°。乙類(lèi)和丙類(lèi)都適用于大功率工作狀態(tài),丙類(lèi)工作狀態(tài)的輸出功率和效率是三種工作狀態(tài)中高的。射頻功率放大器大多工作于丙類(lèi),但丙類(lèi)放大器的電流波形失真太大,只能用于采用調(diào)諧回路作為負(fù)載諧振功率放大。由于調(diào)諧回路具有濾波能力,回路電流與電壓仍然接近于正弦波形,失真很小。

 

開(kāi)關(guān)型功率放大器(Switching Mode PA,SMPA),使電子器件工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài),常見(jiàn)的有丁(D)類(lèi)放大器和戊(E)類(lèi)放大器,丁類(lèi)放大器的效率高于丙類(lèi)放大器。SMPA 將有源晶體管驅(qū)動(dòng)為開(kāi)關(guān)模式,晶體管的工作狀態(tài)要么是開(kāi),要么是關(guān),其電壓和電流的時(shí)域波形不存在交疊現(xiàn)象,所以是直流功耗為零,理想的效率能達(dá)到 100%。

 

傳統(tǒng)線(xiàn)性功率放大器具有較高的增益和線(xiàn)性度但效率低,而開(kāi)關(guān)型功率放大器具有很高的效率和高輸出功率,但線(xiàn)性度差。具體見(jiàn)下表:

 

 

電路組成

放大器有不同類(lèi)型,簡(jiǎn)化之,放大器的電路可以由以下幾個(gè)部分組成:晶體管、偏置及穩(wěn)定電路、輸入輸出匹配電路。

 

1-1、晶體管

晶體管有很多種,包括當(dāng)前還有多種結(jié)構(gòu)的晶體管被發(fā)明出來(lái)。本質(zhì)上,晶體管的工作都是表現(xiàn)為一個(gè)受控的電流源或電壓源,其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得,晶體管加以消耗,并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”,比如其承受功率的能力有區(qū)別,這也是因?yàn)槠淠塬@取的直流能量的能力不同所致;比如其反應(yīng)速度不同,這決定它能工作在多寬多高的頻帶上;比如其面向輸入、輸出端的阻抗不同,及對(duì)外的反應(yīng)能力不同,這決定了給它匹配的難易程度。

 

1-2、偏置電路及穩(wěn)定電路

偏置和穩(wěn)定電路是兩種不同的電路,但因?yàn)樗麄兺茈y區(qū)分,且設(shè)計(jì)目標(biāo)趨同,所以可以放在一起討論。

 

晶體管的工作需要在一定的偏置條件下,我們稱(chēng)之為靜態(tài)工作點(diǎn)。這是晶體管立足的根本,是它自身的“定位”。每個(gè)晶體管都給自己進(jìn)行了一定的定位,其定位不同將決定了它自身的工作模式,在不同的定位上也存在著不同的性能表現(xiàn)。有些定位點(diǎn)上起伏較小,適合于小信號(hào)工作;有些定位點(diǎn)上起伏較大,適合于大功率輸出;有些定位點(diǎn)上索取較少,釋放純粹,適合于低噪聲工作;有些定位點(diǎn),晶體管總是在飽和和截至之間徘徊,處于開(kāi)關(guān)狀態(tài)。一個(gè)恰當(dāng)?shù)钠命c(diǎn),是正常工作的礎(chǔ)。在設(shè)計(jì)寬帶功率放大器時(shí),或工作頻率較高時(shí),偏置電路對(duì)電路性能影響較大,此時(shí)應(yīng)把偏置電路作為匹配電路的一部分考慮。

 

偏置網(wǎng)絡(luò)有兩大類(lèi)型,無(wú)源網(wǎng)絡(luò)和有源網(wǎng)絡(luò)。無(wú)源網(wǎng)絡(luò)(即自偏置網(wǎng)絡(luò))通常由電阻網(wǎng)絡(luò)組成,為晶體管提供合適的工作電壓和電流。它的主要缺陷是對(duì)晶體管的參數(shù)變化十分敏感,并且溫度穩(wěn)定性較差。有源偏置網(wǎng)絡(luò)能改善靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定性,還能提高良好的溫度穩(wěn)定性,但它也存在一些問(wèn)題,如增加了電路尺寸、增加了電路排版的難度以及增加了功率消耗。

 

穩(wěn)定電路一定要在匹配電路之前,因?yàn)榫w管需要將穩(wěn)定電路作為自身的一部分存在,再與外界接觸。在外界看來(lái),加上穩(wěn)定電路的晶體管,是一個(gè)“全新的”晶體管。它做出一定的“犧牲”,獲得了穩(wěn)定性。穩(wěn)定電路的機(jī)制能夠保證晶體管順利而穩(wěn)定的運(yùn)轉(zhuǎn)。

 

1-3、輸入輸出匹配電路

匹配電路的目的是在選擇一種接受的方式。對(duì)于那些想提供更大增益的晶體管來(lái)說(shuō),其途徑是全盤(pán)的接受和輸出。這意味著通過(guò)匹配電路這一個(gè)接口,不同的晶體管之間溝通更加順暢,對(duì)于不同種的放大器類(lèi)型來(lái)說(shuō),匹配電路并不是只有“全盤(pán)接受”一種設(shè)計(jì)方法。一些直流小、根基淺的小型管,更愿意在接受的時(shí)候做一定的阻擋,來(lái)獲取更好的噪聲性能,然而不能阻擋過(guò)了頭,否則會(huì)影響其貢獻(xiàn)。而對(duì)于一些巨型功率管,則需要在輸出時(shí)謹(jǐn)小慎微,因?yàn)樗麄兏环€(wěn)定,同時(shí),一定的保留有助于他們發(fā)揮出更多的“不扭曲的”能量。

 

典型的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)有 L 匹配、π形匹配和 T 形匹配。其中 L 匹配,其特點(diǎn)就是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且只有兩個(gè)自由度 L 和 C。一旦確定了阻抗變換比率和諧振頻率,網(wǎng)絡(luò)的 Q 值(帶寬)也就確定了。π形匹配網(wǎng)絡(luò)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是不管什么樣的寄生電容,只要連接到它,都可以被吸到網(wǎng)絡(luò)中,這也導(dǎo)致了π形匹配網(wǎng)絡(luò)的普遍應(yīng)用,因?yàn)樵诤芏嗟膶?shí)際情況中,占支配地位的寄生元件是電容。T 形匹配,當(dāng)電源端和負(fù)載端的寄生參數(shù)主要呈電感性質(zhì)時(shí),可用 T 形匹配來(lái)把這些寄生參數(shù)吸收入網(wǎng)絡(luò)。

 

確保射頻 PA 穩(wěn)定的實(shí)現(xiàn)方式

每一個(gè)晶體管都是潛在不穩(wěn)定的。好的穩(wěn)定電路能夠和晶體管融合在一起,形成一種“可持續(xù)工作”的模式。穩(wěn)定電路的實(shí)現(xiàn)方式可劃分為兩種:窄帶的和寬帶的。

 

窄帶的穩(wěn)定電路是進(jìn)行一定的增益消耗。這種穩(wěn)定電路是通過(guò)增加一定的消耗電路和選擇性電路實(shí)現(xiàn)的。這種電路使得晶體管只能在很小的一個(gè)頻率范圍內(nèi)貢獻(xiàn)。另外一種寬帶的穩(wěn)定是引入負(fù)反饋。這種電路可以在一個(gè)很寬的范圍內(nèi)工作。

 

不穩(wěn)定的根源是正反饋,窄帶穩(wěn)定思路是遏制一部分正反饋,當(dāng)然,這也同時(shí)抑制了貢獻(xiàn)。而負(fù)反饋?zhàn)龅煤茫€有產(chǎn)生很多額外的令人欣喜的優(yōu)點(diǎn)。比如,負(fù)反饋可能會(huì)使晶體管免于匹配,既不需要匹配就可以與外界很好的接洽了。另外,負(fù)反饋的引入會(huì)提升晶體管的線(xiàn)性性能。

 

射頻 PA 的效率提升技術(shù)

晶體管的效率都有一個(gè)理論上的極限。這個(gè)極限隨偏置點(diǎn)(靜態(tài)工作點(diǎn))的選擇不同而不同。另外,外圍電路設(shè)計(jì)得不好,也會(huì)大大降低其效率。目前工程師們對(duì)于效率提升的辦法不多。這里僅講兩種:包絡(luò)跟蹤技術(shù)與 Doherty 技術(shù)。

 

包絡(luò)跟蹤技術(shù)的實(shí)質(zhì)是:將輸入分離為兩種:相位和包絡(luò),再由不同的放大電路來(lái)分別放大。這樣,兩個(gè)放大器之間可以專(zhuān)注的負(fù)責(zé)其各自的部分,二者配合可以達(dá)到更高的效率利用的目標(biāo)。

 

Doherty 技術(shù)的實(shí)質(zhì)是:采用兩只同類(lèi)的晶體管,在小輸入時(shí)僅一個(gè)工作,且工作在高效狀態(tài)。如果輸入增大,則兩個(gè)晶體管同時(shí)工作。這種方法實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)是二只晶體管要配合默契。一種晶體管的工作狀態(tài)會(huì)直接的決定了另一支的工作效率。 

 

射頻 PA 面臨的測(cè)試挑戰(zhàn)

功率放大器是無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中非常重要的組件,但他們本身是非線(xiàn)性的,因而會(huì)導(dǎo)致頻譜增生現(xiàn)象而干擾到鄰近通道,而且可能違反法令強(qiáng)制規(guī)定的帶外(out-of-band)放射標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)特性甚至?xí)斐蓭?nèi)失真,使得通信系統(tǒng)的誤碼率(BER)增加、數(shù)據(jù)傳輸速率降低。

 

在峰值平均功率比(PAPR)下,新的 OFDM 傳輸格式會(huì)有更多偶發(fā)的峰值功率,使得 PA 不易被分割。這將降低頻譜屏蔽相符性,并擴(kuò)大整個(gè)波形的 EVM 及增加 BER。為了解決這個(gè)問(wèn)題,設(shè)計(jì)工程師通常會(huì)刻意降低 PA 的操作功率。很可惜的,這是非常沒(méi)有效率的方法,因?yàn)?PA 降低 10%的操作功率,會(huì)損失掉 90%的 DC 功率。

 

現(xiàn)今大部分的 RF PA 皆支持多種模式、頻率范圍及調(diào)制模式,使得測(cè)試項(xiàng)目變得更多。數(shù)以千計(jì)的測(cè)試項(xiàng)目已不稀奇。波峰因子消減(CFR)、數(shù)字預(yù)失真(DPD)及包絡(luò)跟蹤(ET)等新技術(shù)的運(yùn)用,有助于將 PA 效能及功率效率優(yōu)化,但這些技術(shù)只會(huì)使得測(cè)試更加復(fù)雜,而且大幅延長(zhǎng)設(shè)計(jì)及測(cè)試時(shí)間。增加 RF PA 的帶寬,將導(dǎo)致 DPD 測(cè)量所需的帶寬增加 5 倍(可能超過(guò) 1 GHz),造成測(cè)試復(fù)雜性進(jìn)一步升高。

 

依趨勢(shì)來(lái)看,為了增加效率,RF PA 組件及前端模塊(FEM)將更緊密整合,而單一 FEM 則將支持更廣泛的頻段及調(diào)制模式。將包絡(luò)跟蹤電源供應(yīng)器或調(diào)制器整合入 FEM,可有效地減少移動(dòng)設(shè)備內(nèi)部的整體空間需求。為了支持更大的操作頻率范圍而大量增加濾波器 / 雙工器插槽,會(huì)使得移動(dòng)設(shè)備的復(fù)雜度和測(cè)試項(xiàng)目的數(shù)量節(jié)節(jié)攀升。

 

半導(dǎo)體材料的變遷:

Ge(鍺)、Si(硅)→→→GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、SiGe(鍺化硅)、SOI(絕緣層上覆硅) →→→碳納米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。

 

目前功率放大器的主流工藝依然是 GaAs 工藝。另外,GaAs HBT,砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。其中 HBT(heterojunction bipolar transistor,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)是一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。

 

CMOS 工藝雖然已經(jīng)比較成熟,但 Si CMOS 功率放大器的應(yīng)用并不廣泛。成本方面,CMOS 工藝的硅晶圓雖然比較便宜,但 CMOS 功放版圖面積比較大,再加上 CMOS PA 復(fù)雜的設(shè)計(jì)所投入的研發(fā)成本較高,使得 CMOS 功放整體的成本優(yōu)勢(shì)并不那么明顯。性能方面,CMOS 功率放大器在線(xiàn)性度,輸出功率,效率等方面的性能較差,再加上 CMOS 工藝固有的缺點(diǎn):膝點(diǎn)電壓較高、擊穿電壓較低、CMOS 工藝基片襯底的電阻率較低。

 

碳納米管(CNT)由于具有物理尺寸小、電子遷移率高,電流密度大和本征電容低等特點(diǎn),人們認(rèn)為是納米電子器件的理想材料。

 

零禁帶半導(dǎo)體材料石墨烯,因?yàn)榫哂泻芨叩碾娮舆w移速率、納米數(shù)量級(jí)的物理尺寸、電性能以及機(jī)械性能,必將成為下一代射頻芯片的熱門(mén)材料。

 

射頻 PA 的線(xiàn)性化技術(shù) 

射頻功率放大器的非線(xiàn)性失真會(huì)使其產(chǎn)生新的頻率分量,如對(duì)于二階失真會(huì)產(chǎn)生二次諧波和雙音拍頻,對(duì)于三階失真會(huì)產(chǎn)生三次諧波和多音拍頻。這些新的頻率分量如落在通帶內(nèi),將會(huì)對(duì)發(fā)射的信號(hào)造成直接干擾,如果落在通帶外將會(huì)干擾其他頻道的信號(hào)。為此要對(duì)射頻功率放大器的進(jìn)行線(xiàn)性化處理,這樣可以較好地解決信號(hào)的頻譜再生問(wèn)題。

 

射頻功放基本線(xiàn)性化技術(shù)的原理與方法不外乎是以輸入 RF 信號(hào)包絡(luò)的振幅和相位作為參考,與輸出信號(hào)比較,進(jìn)而產(chǎn)生適當(dāng)?shù)男U?。目前己?jīng)提出并得到廣泛應(yīng)用的功率放大器線(xiàn)性化技術(shù)包括,功率回退,負(fù)反饋,前饋,預(yù)失真,包絡(luò)消除與恢復(fù)(EER),利用非線(xiàn)性元件進(jìn)行線(xiàn)性放大(LINC) 。較復(fù)雜的線(xiàn)性化技術(shù),如前饋,預(yù)失真,包絡(luò)消除與恢復(fù),使用非線(xiàn)性元件進(jìn)行線(xiàn)性放大,它們對(duì)放大器線(xiàn)性度的改善效果比較好。而實(shí)現(xiàn)比較容易的線(xiàn)性化技術(shù),比如功率回退,負(fù)反饋,這幾個(gè)技術(shù)對(duì)線(xiàn)性度的改善就比較有限。

 

2-1、功率回退

這是常用的方法,即選用功率較大的管子作小功率管使用,實(shí)際上是以犧牲直流功耗來(lái)提高功放的線(xiàn)性度。

 

功率回退法就是把功率放大器的輸入功率從 1dB 壓縮點(diǎn)(放大器有一個(gè)線(xiàn)性動(dòng)態(tài)范圍,在這個(gè)范圍內(nèi),放大器的輸出功率隨輸入功率線(xiàn)性增加。隨著輸入功率的繼續(xù)增大,放大器漸漸進(jìn)入飽和區(qū),功率增益開(kāi)始下降,通常把增益下降到比線(xiàn)性增益低 1dB 時(shí)的輸出功率值定義為輸出功率的 1dB 壓縮點(diǎn),用 P1dB 表示。)向后回退 6-10 個(gè)分貝,工作在遠(yuǎn)小于 1dB 壓縮點(diǎn)的電平上,使功率放大器遠(yuǎn)離飽和區(qū),進(jìn)入線(xiàn)性工作區(qū),從而改善功率放大器的三階交調(diào)系數(shù)。一般情況,當(dāng)基波功率降低 1dB 時(shí),三階交調(diào)失真改善 2dB。

 

功率回退法簡(jiǎn)單且易實(shí)現(xiàn),不需要增加任何附加設(shè)備,是改善放大器線(xiàn)性度行之有效的方法,缺點(diǎn)是效率大為降低。另外,當(dāng)功率回退到一定程度,當(dāng)三階交調(diào)制達(dá)到 -50dBc 以下時(shí),繼續(xù)回退將不再改善放大器的線(xiàn)性度。因此,在線(xiàn)性度要求很高的場(chǎng)合,*靠功率回退是不夠的。

 

2-2、預(yù)失真

預(yù)失真就是在功率放大器前增加一個(gè)非線(xiàn)性電路用以補(bǔ)償功率放大器的非線(xiàn)性失真。

 

預(yù)失真線(xiàn)性化技術(shù),它的優(yōu)點(diǎn)在于不存在穩(wěn)定性問(wèn)題,有更寬的信號(hào)頻帶,能夠處理含多載波的信號(hào)。預(yù)失真技術(shù)成本較低,由幾個(gè)仔細(xì)選取的元件封裝成單一模塊,連在信號(hào)源與功放之間,就構(gòu)成預(yù)失真線(xiàn)性功放。手持移動(dòng)臺(tái)中的功放已采用了預(yù)失真技術(shù),它僅用少量的元件就降低了互調(diào)產(chǎn)物幾 dB,但卻是很關(guān)鍵的幾 dB。

 

預(yù)失真技術(shù)分為 RF 預(yù)失真和數(shù)字基帶預(yù)失真兩種基本類(lèi)型。RF 預(yù)失真一般采用模擬電路來(lái)實(shí)現(xiàn),具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、易于高頻、寬帶應(yīng)用等優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是頻譜再生分量改善較少、高階頻譜分量抵消較困難。

 

數(shù)字基帶預(yù)失真由于工作頻率低,可以用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn),適應(yīng)性強(qiáng),而且可以通過(guò)增加采樣頻率和增大量化階數(shù)的辦法來(lái)抵消高階互調(diào)失真,是一種很有發(fā)展前途的方法。這種預(yù)失真器由一個(gè)矢量增益調(diào)節(jié)器組成,根據(jù)查找表(LUT)的內(nèi)容來(lái)控制輸入信號(hào)的幅度和相位,預(yù)失真的大小由查找表的輸入來(lái)控制。矢量增益調(diào)節(jié)器一旦被優(yōu)化,將提供一個(gè)與功放相反的非線(xiàn)性特性。理想情況下,這時(shí)輸出的互調(diào)產(chǎn)物應(yīng)該與雙音信號(hào)通過(guò)功放的輸出幅度相等而相位相反,即自適應(yīng)調(diào)節(jié)模塊就是要調(diào)節(jié)查找表的輸入,從而使輸入信號(hào)與功放輸出信號(hào)的差別最小。注意到輸入信號(hào)的包絡(luò)也是查找表的一個(gè)輸入,反饋路徑來(lái)取樣功放的失真輸出,然后經(jīng)過(guò) A/D 變換送入自適應(yīng)調(diào)節(jié) DSP 中,進(jìn)而來(lái)更新查找表。

 

2-3、前饋

前饋技術(shù)起源于"反饋",應(yīng)該說(shuō)它并不是什么新技術(shù),早在二三十年代就由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室提出來(lái)的。除了校準(zhǔn)(反饋)是加于輸出之外,概念上*是"反饋"。 

 

前饋線(xiàn)性放大器通過(guò)耦合器、衰減器、合成器、延時(shí)線(xiàn)、功分器等組成兩個(gè)環(huán)路。射頻信號(hào)輸入后,經(jīng)功分器分成兩路。一路進(jìn)入主功率放大器,由于其非線(xiàn)性失真,輸出端除了有需要放大的主頻信號(hào)外,還有三階交調(diào)干擾。從主功放的輸出中耦合一部分信號(hào),通過(guò)環(huán)路 1 抵消放大器的主載頻信號(hào),使其只剩下反相的三階交調(diào)分量。三階交調(diào)分量經(jīng)輔助放大器放大后,通過(guò)環(huán)路 2 抵消主放大器非線(xiàn)性產(chǎn)生的交調(diào)分量,從而了改善功放的線(xiàn)性度。

 

前饋技術(shù)既提供了較高校準(zhǔn)精度的優(yōu)點(diǎn),又沒(méi)有不穩(wěn)定和帶寬受限的缺點(diǎn)。當(dāng)然,這些優(yōu)點(diǎn)是用高成本換來(lái)的,由于在輸出校準(zhǔn),功率電平較大,校準(zhǔn)信號(hào)需放大到較高的功率電平,這就需要額外的輔助放大器,而且要求這個(gè)輔助放大器本身的失真特性應(yīng)處在前饋系統(tǒng)的指標(biāo)之上。

 

前饋功放的抵消要求是很高的,需獲得幅度、相位和時(shí)延的匹配,如果出現(xiàn)功率變化、溫度變化及器件老化等均會(huì)造成抵消失靈。為此,在系統(tǒng)中考慮自適應(yīng)抵消技術(shù),使抵消能夠跟得上內(nèi)外環(huán)境的變化。

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